Đăng nhập
 
Tìm kiếm nâng cao
 
Tên bài báo
Tác giả
Năm xuất bản
Tóm tắt
Lĩnh vực
Phân loại
Số tạp chí
 

Bản tin định kỳ
Báo cáo thường niên
Tạp chí khoa học ĐHCT
Tạp chí tiếng anh ĐHCT
Tạp chí trong nước
Tạp chí quốc tế
Kỷ yếu HN trong nước
Kỷ yếu HN quốc tế
Book chapter
Chờ xuất bản
Bài báo - Tạp chí
Số 27 (2013) Trang: 95-102
Tải về

Thông tin chung:

Ngày nhận: 08/03/2013

Ngày chấp nhận: 19/08/2013

 

Title:

Absorption linewidth in the modulation-doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum wells due to interface roughness scattering

Từ khóa:

Cấu trúc nano, giếng lượng tử, khí điện tử hai chiều, độ mở rộng vạch phổ, cấu trúc dị chất, cấu hình tạp

Keywords:

Nano structure, quantum well, two-dimensional electron gas, absorption linewidth, heterostructure, doping profile

abstract

We calculate and investigate the influence of characteristic parameters of the modulation doping real quantum well (AlGaAs/GaAs/AlGaAs) to the distribution of the two-dimensional electron gas in the quantum well by the variational method. The studying results recorded that there is significantly change the distribution of electron gas in the well in the ground state and the excited state by the doping profile of the modulation-doped system. Thence, we evaluate the effects of the doping profile and the roughness profile parameters to the absorption linewidth. We believe that the changes of the distributions causes changes surface roughness scattering intensity, thus changing the absorption linewidth by the optical transition phenomenon between the two lowest subbands but this effect was little mentioned before.

TóM TắT

Chúng tôi tính toán và khảo sát ảnh hưởng của các tham số đặc trưng của hệ giếng lượng tử thực AlGaAs/GaAs/AlGaAs pha tạp điều biến đến sự phân bố khí điện tử hai chiều trong giếng lượng tử bằng phương pháp biến phân. Kết quả tính ghi nhận được rằng có sự thay đổi đáng kể sự phân bố điện tử trong giếng ở trạng thái cơ bản và trạng thái kích thích theo cấu hình tạp của hệ pha tạp điều biến. Từ đó, chúng tôi đánh giá ảnh hưởng của các tham số đặc trưng cho cấu hình tạp và cấu hình nhám lên độ rộng vạch phổ hấp thụ. Chúng tôi cho rằng sự thay đổi phân bố là nguyên nhân làm thay đổi cường độ tán xạ nhám bề mặt, vì thế làm thay đổi độ mở rộng vạch phổ hấp thụ bởi hiện tượng chuyển dời quang giữa hai vùng con thấp nhất nhưng hiệu ứng này ít được đề cập trước đây.

Các bài báo khác
Số 24b (2012) Trang: 131-139
Tải về
Số 30 (2014) Trang: 20-25
Tải về
Số 52 (2017) Trang: 22-28
Tải về
Số 16a (2010) Trang: 7-14
Tải về
Số 37 (2015) Trang: 90-96
Tải về
Số 47 (2016) Trang: 98-106
Tải về
(2015) Trang: 306-309
Tạp chí: The 5th International Workshop on Nanotechnology and Application, November, Vung Tau, Vietnam
(2015) Trang: 263-266
Tạp chí: Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 9, Thành Phố HCM, tháng 11/2015
(2014) Trang: 238
Tạp chí: The 8th International Conference on Photonics and Applications, Da nang, Vietnam (12-16/08/2014)
22 (2012) Trang: 327
Tạp chí: Communications in Physics
100 (2012) Trang: 1
Tạp chí: Applied Physics Letters
36 (2011) Trang: 212
Tạp chí: Proc Natl Conf Theor Phys
36 (2011) Trang: 1
Tạp chí: Proc Natl Conf Theor Phys
(2012) Trang:
Tạp chí:  Extended abstracts of fourth international symposium on atomically controlled fabrication technology
(2011) Trang:
Tạp chí: The first academic conference on natural science for Master Ph.D Students From Cambonia - Laos - Vietnam 23-27 March 2010. Vientiane, Lao PDR
 

Crossref DOI of CTUJoS


BC thường niên 2018


Con số ấn tượng (VN | EN)


Bản tin ĐHCT


TCKH tiếng Việt


TCKH tiếng Anh

 
 
Vui lòng chờ...