Đăng nhập
 
Tìm kiếm nâng cao
 
Tên bài báo
Tác giả
Năm xuất bản
Tóm tắt
Lĩnh vực
Phân loại
Số tạp chí
 

Bản tin định kỳ
Báo cáo thường niên
Tạp chí khoa học ĐHCT
Tạp chí tiếng anh ĐHCT
Tạp chí trong nước
Tạp chí quốc tế
Kỷ yếu HN trong nước
Kỷ yếu HN quốc tế
Book chapter
Bài báo - Tạp chí
Số 30 (2014) Trang: 20-25
Tải về

Thông tin chung:

Ngày nhận: 17/06/2013

Ngày chấp nhận: 25/02/2014

 

Title:  

A simulation of zinc oxide nanowire field?effect transistors

Từ khóa:

Mô phỏng, dây nano,
tran-zi-to hiệu ứng trường, đặc tuyến Vôn-Ampe, cấu hình cực cổng, oxit kẽm

Keywords:

Simulation, Nanowire, Field?Effect Transistor, Volt-Ampere characteristics, gate configuration, zinc oxide

abstract

We report the simulation results of the field-effect transistor (FET)
with various gate structures in order to find the FETs having the best electrical properties. We changed the ?gate configuration" with different arrangement gates (single-gate, double-gate, ordinary triple-gate, Pi-gate, omega-gate and gate all around (GAA)). Based on the simulation data, we drawn the Volt-Ampere characteristics lines (I-V). Then, we calculated the physical parameters affecting the operation of FETs including: threshold voltage, subthreshold slope, saturation currents, the on-off current ratio. Our simulations showed that the gate all around structure has better properties than the other structures, especially this structure restricts the short-channel effects.

TóM TắT

Chúng tôi báo cáo các kết quả mô phỏng transistor hiệu ứng trường với nhiều cấu trúc cổng khác nhau nhằm tìm ra FET có đặc tính điện tốt nhất. Chúng tôi thay đổi "hệ cực cổng" với các cách sắp xếp cực cổng khác nhau (một cổng, hai cổng, ba cổng thường, cổng dạng p, cổng dạng W và cổng bao vòng quanh). Dựa vào kết quả mô phỏng là bộ dữ liệu số, chúng tôi vẽ các đường đặc tuyến Vôn-Ampe (I-V). Sau đó, chúng tôi tính các thông số vật lý ảnh hưởng đến hoạt động của FET gồm: điện áp ngưỡng, độ dốc dưới ngưỡng, dòng điện bão hòa, tỷ lệ dòng điện ở trạng thái mở và trạng thái đóng, độ dẫn truyền. Chúng tôi ghi nhận được rằng, cấu trúc cổng bao vòng quanh có nhiều tính chất tối ưu hơn các cấu trúc cổng khác, đặc biệt là nó hạn chế được hiệu ứng kênh ngắn.

Các bài báo khác
Số 24b (2012) Trang: 131-139
Tải về
Số 52 (2017) Trang: 22-28
Tải về
Số 16a (2010) Trang: 7-14
Tải về
Số 37 (2015) Trang: 90-96
Tải về
Số 27 (2013) Trang: 95-102
Tải về
Số 47 (2016) Trang: 98-106
Tải về
(2015) Trang: 306-309
Tạp chí: The 5th International Workshop on Nanotechnology and Application, November, Vung Tau, Vietnam
(2015) Trang: 263-266
Tạp chí: Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 9, Thành Phố HCM, tháng 11/2015
(2014) Trang: 238
Tạp chí: The 8th International Conference on Photonics and Applications, Da nang, Vietnam (12-16/08/2014)
22 (2012) Trang: 327
Tạp chí: Communications in Physics
100 (2012) Trang: 1
Tạp chí: Applied Physics Letters
36 (2011) Trang: 212
Tạp chí: Proc Natl Conf Theor Phys
36 (2011) Trang: 1
Tạp chí: Proc Natl Conf Theor Phys
(2012) Trang:
Tạp chí:  Extended abstracts of fourth international symposium on atomically controlled fabrication technology
(2011) Trang:
Tạp chí: The first academic conference on natural science for Master Ph.D Students From Cambonia - Laos - Vietnam 23-27 March 2010. Vientiane, Lao PDR
 

Crossref DOI of CTUJoS


BC thường niên 2018


Con số ấn tượng (VN | EN)


Bản tin ĐHCT


TCKH tiếng Việt


TCKH tiếng Anh

 
 
Vui lòng chờ...