Đăng nhập
 
Tìm kiếm nâng cao
 
Tên bài báo
Tác giả
Năm xuất bản
Tóm tắt
Lĩnh vực
Phân loại
Số tạp chí
 

Bản tin định kỳ
Báo cáo thường niên
Tạp chí khoa học ĐHCT
Tạp chí tiếng anh ĐHCT
Tạp chí trong nước
Tạp chí quốc tế
Kỷ yếu HN trong nước
Kỷ yếu HN quốc tế
Book chapter
Bài báo - Tạp chí
Số 52 (2017) Trang: 22-28
Tải về

Thông tin chung:

Ngày nhận bài: 19/04/2017
Ngày nhận bài sửa: 15/06/2017

Ngày duyệt đăng: 30/10/2017

 

Title:

Electronic properties of the superlattice based on armchair ZnO/GaN nanoribbons

Từ khóa:

Cấu trúc vùng, lý thuyết phiếm hàm mật độ, mật độ trạng thái, giam cầm lượng tử, dãy nano, siêu mạng

Keywords:

Band structure, density functional theory, density of state, quantum confinement effect, nanoribbons, superlattice

ABSTRACT

ZnO and GaN are the typical semiconductor materials. These materials were used in application for optoelectronic devices. Both ZnO and GaN have crystal structure wurtzite-like and they have many similar physical properties. Therefore, their combination into superlattice is expected to create a new material system with new physical properties. In this study, we investigate the electronic properties of the superlattice based on ZnO/GaN armchair nanoribbons by the density functional theory (DFT) method. We have used the PBE functional for GGA and a plane-wave basis set with the projector augmented wave method as implemented in the Vienna ab initio simulation package (VASP). In results, it is shown that the electronic structures of some crystal structures exist the strong quantum confinement effect.

TÓM TẮT

ZnO và GaN là những vật liệu bán dẫn tiêu biểu và được ứng dụng nhiều trong các thiết bị quang điện tử. ZnO và GaN có cùng cấu trúc tinh thể wurtzite và có nhiều tính chất vật lý tương tự nhau. Do đó, khi kết hợp hai vật liệu này thành cấu trúc siêu mạng tạo ra một hệ vật liệu hứa hẹn có nhiều tính chất vật lý mới. Nghiên cứu này nghiên cứu tính chất điện tử của siêu mạng dựa trên ZnO/GaN biên armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) phân cực spin. Gần đúng gradient suy rộng (GGA) cho thế tương quan trao đổi với phiếm hàm Perdew-Burke-Ernzernhof (PBE) và một tập cơ sở sóng phẳng đã được thiết lập trong VASP. Kết quả nghiên cứu thể hiện rằng cấu trúc điện tử của một số cấu trúc tinh thể nghiên cứu có tồn tại hiệu ứng giam cầm lượng tử mạnh.

Trích dẫn: Nguyễn Thành Tiên, Lại Thị Hồng Yến, Võ Khương Điền và Huỳnh Thị Mỹ Duyên, 2017. Tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair. Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ. 52a: 22-28.

Các bài báo khác
Số 24b (2012) Trang: 131-139
Tải về
Số 30 (2014) Trang: 20-25
Tải về
Số 16a (2010) Trang: 7-14
Tải về
Số 37 (2015) Trang: 90-96
Tải về
Số 27 (2013) Trang: 95-102
Tải về
Số 47 (2016) Trang: 98-106
Tải về
(2015) Trang: 306-309
Tạp chí: The 5th International Workshop on Nanotechnology and Application, November, Vung Tau, Vietnam
(2015) Trang: 263-266
Tạp chí: Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 9, Thành Phố HCM, tháng 11/2015
(2014) Trang: 238
Tạp chí: The 8th International Conference on Photonics and Applications, Da nang, Vietnam (12-16/08/2014)
22 (2012) Trang: 327
Tạp chí: Communications in Physics
100 (2012) Trang: 1
Tạp chí: Applied Physics Letters
36 (2011) Trang: 212
Tạp chí: Proc Natl Conf Theor Phys
36 (2011) Trang: 1
Tạp chí: Proc Natl Conf Theor Phys
(2012) Trang:
Tạp chí:  Extended abstracts of fourth international symposium on atomically controlled fabrication technology
(2011) Trang:
Tạp chí: The first academic conference on natural science for Master Ph.D Students From Cambonia - Laos - Vietnam 23-27 March 2010. Vientiane, Lao PDR
 

Crossref DOI of CTUJoS


BC thường niên 2018


Con số ấn tượng (VN | EN)


Bản tin ĐHCT


TCKH tiếng Việt


TCKH tiếng Anh

 
 
Vui lòng chờ...