Đăng nhập
 
Tìm kiếm nâng cao
 
Tên bài báo
Tác giả
Năm xuất bản
Tóm tắt
Lĩnh vực
Phân loại
Số tạp chí
 

Bản tin định kỳ
Báo cáo thường niên
Tạp chí khoa học ĐHCT
Tạp chí tiếng anh ĐHCT
Tạp chí trong nước
Tạp chí quốc tế
Kỷ yếu HN trong nước
Kỷ yếu HN quốc tế
Book chapter
Bài báo - Tạp chí
8 (2018) Trang: 085123(1)-085123(12)
Tạp chí: AIP ADVANCES

Density-functional theory in combination with the non-equilibrium Green’s function formalism is used to study the effect of silicon doping and phosphorus passivation on the electronic transport properties of zigzag graphene nanoribbons (ZGNRs). We study the edge structures passivated by H atoms and by P atoms. In this work, Si atoms are used to substitute C atoms located at the edge of the samples. We consider ZGNRs terminated by H and P atoms with four zigzag carbon chains (4-ZGNRs) in case of six various configurations. Our calculated results determine that the Si doping improves significantly the current of samples by the number of dopants. Moreover, there is dramatical difference in the transmission spectrum of P-passivated ZGNRs and Hpassivated ZGNRs i.e. P passivation not only destroys an enhanced transmission at the Fermi level, which is typical for graphene nanoribbons, but also increases considerably the intensity of transmission spectrum with ballistic transport properties. Furthermore, the numerical results illustrate that pristine H-terminated samples have a broadening band gap in transmission spectra when the bias voltage increases. The relationship between the outcomes indicates that such silicon doping and phosphorus passivation are effective and providing a promising way to modulate the properties of ZGNRs for nanoelectronic device applications.

Các bài báo khác
Số 24b (2012) Trang: 131-139
Tải về
Số 30 (2014) Trang: 20-25
Tải về
Số 52 (2017) Trang: 22-28
Tải về
Số 16a (2010) Trang: 7-14
Tải về
Số 37 (2015) Trang: 90-96
Tải về
Số 27 (2013) Trang: 95-102
Tải về
Số 47 (2016) Trang: 98-106
Tải về
(2015) Trang: 306-309
Tạp chí: The 5th International Workshop on Nanotechnology and Application, November, Vung Tau, Vietnam
(2015) Trang: 263-266
Tạp chí: Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 9, Thành Phố HCM, tháng 11/2015
(2014) Trang: 238
Tạp chí: The 8th International Conference on Photonics and Applications, Da nang, Vietnam (12-16/08/2014)
22 (2012) Trang: 327
Tạp chí: Communications in Physics
100 (2012) Trang: 1
Tạp chí: Applied Physics Letters
36 (2011) Trang: 212
Tạp chí: Proc Natl Conf Theor Phys
36 (2011) Trang: 1
Tạp chí: Proc Natl Conf Theor Phys
(2012) Trang:
Tạp chí:  Extended abstracts of fourth international symposium on atomically controlled fabrication technology
(2011) Trang:
Tạp chí: The first academic conference on natural science for Master Ph.D Students From Cambonia - Laos - Vietnam 23-27 March 2010. Vientiane, Lao PDR
 

Crossref DOI of CTUJoS


BC thường niên 2018


Con số ấn tượng (VN | EN)


Bản tin ĐHCT


TCKH tiếng Việt


TCKH tiếng Anh

 
 
Vui lòng chờ...