Đăng nhập
 
Tìm kiếm nâng cao
 
Tên bài báo
Tác giả
Năm xuất bản
Tóm tắt
Lĩnh vực
Phân loại
Số tạp chí
 

Bản tin định kỳ
Báo cáo thường niên
Tạp chí khoa học ĐHCT
Tạp chí tiếng anh ĐHCT
Tạp chí trong nước
Tạp chí quốc tế
Kỷ yếu HN trong nước
Kỷ yếu HN quốc tế
Book chapter
Bài báo - Tạp chí
Q1 (2017) Trang: 351-354
Tạp chí: Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 10, Huế, tháng 10/2017
Liên kết:

In this study, F-doped SnO2 (FTO) thin films were deposited on glass substrates using ultrasonic spray pyrolysis at a substrate temperature of 400 °C, and then they were annealed at various temperatures (Ta) of 350–475 °C. The structural, morphological and magnetotransport properties of the FTO films were studied. The FTO films exhibited tetragonal structure with preferred orientations of (110), (200), and (211), and polycrystalline morphology. In addition, all the FTO films possessed negative magnetoresistance (MR) in low temperature (T) range of 2 – 10 K under the perpendicular field of ± 1 T. We employed weak localization (WL) theory to analyze MR data, and consequently T-dependent coherent length Lϕ was achieved. The Lϕ decays with T by the power law, Lϕ ~ T-p. We found that the coefficient p decreased with increasing Ta, attributing to the inhomogeneous state and energy-transfer strength via electron-electron (e-e) and electron-phonon (e-ph) scattering processes of the samples. The origin of negative MR is due to the weak localization and electron-electron interaction.

Các bài báo khác
Số 18b (2011) Trang: 212-218
Tải về
 


Vietnamese | English






 
 
Vui lòng chờ...