Đăng nhập
 
Tìm kiếm nâng cao
 
Tên bài báo
Tác giả
Năm xuất bản
Tóm tắt
Lĩnh vực
Phân loại
Số tạp chí
 

Bản tin định kỳ
Báo cáo thường niên
Tạp chí khoa học ĐHCT
Tạp chí tiếng anh ĐHCT
Tạp chí trong nước
Tạp chí quốc tế
Kỷ yếu HN trong nước
Kỷ yếu HN quốc tế
Book chapter
Bài báo - Tạp chí
174 (2016) Trang: 6-10
Tạp chí: Journal of Luminescence

We report on C-doped ZnO, with different weight percentages of dopant, prepared by a high-energy ball milling method. The annealing conditions with temperature of 800 °C and in argon environment appear to be the optimal conditions for producing good quality crystals as well as pure UV emission. XRD and FTIR analysis indicate the substitution of C for Zn. In addition, Raman spectroscopy suggests a disordered graphitic layer covering the crystals. Photoluminescence investigation reveals the continuous quenching of visible region upon increasing C concentration and the intensity ratio between defect-related and UV emission can be as negligible as 0.02. The passivation of surface defects and the creation of a nonradiative recombination pathway by carbon integration are proposed as possible origins of the sup-pression

Các bài báo khác
(2015) Trang: 791-794
Tạp chí: Hội nghị vật lý chất rắn và khoa học vật liệu toàn quốc lần 9-Tp.HCM-11/2015
 

Crossref DOI of CTUJoS


BC thường niên 2018


Con số ấn tượng (VN | EN)


Bản tin ĐHCT


TCKH tiếng Việt


TCKH tiếng Anh

 
 
Vui lòng chờ...