Đăng nhập
 
Tìm kiếm nâng cao
 
Tên bài báo
Tác giả
Năm xuất bản
Tóm tắt
Lĩnh vực
Phân loại
Số tạp chí
 

Bản tin định kỳ
Báo cáo thường niên
Tạp chí khoa học ĐHCT
Tạp chí tiếng anh ĐHCT
Tạp chí trong nước
Tạp chí quốc tế
Kỷ yếu HN trong nước
Kỷ yếu HN quốc tế
Book chapter
Bài báo - Tạp chí
(2017) Trang: 588-593
Tạp chí: HỘI NGHỊ VẬT LÝ CHẤT RẮN VÀ KHOA HỌC VẬT LIỆU TOÀN QUỐC LẦN THỨ 10 TP. Huế, 19-21/10/2017
Liên kết:

Chúng tôi báo cáo quy trình chế tạo vật liệu tổ hợp ZnO-SnO2 bằng phương pháp nghiền bi hành tinh năng lượng cao kết hợp với ủ nhiệt trong không khí từ các tiền chất là ZnO và SnO2. Kết quả đo ảnh hiển vi điện tử quét phát xạ trường (FE-SEM) chỉ ra rằng vật liệu tổ hợp có dạng hạt gần cầu và kích thước tăng dần theo nhiệt độ ủ. Phân tích phổ nhiễu xạ tia X (XRD) cho thấy thành phần pha ZnO/SnO2/Zn2SnO4 trong vật liệu phụ thuộc rất mạnh vào nhiệt độ ủ. Phổ tán sắc năng lượng tia X (EDS) chứng tỏ ngoài ba nguyên tố Zn, Sn, O không phát hiện thêm nguyên tố lạ nào khác. Phổ huỳnh quang (PL) kích thích ở bước sóng 280 nm của mẫu sau khi nghiền 40 giờ và ủ tại 1100 oC cho thấy tồn tại vùng phát xạ rất rộng bao trùm từ 400 nm đến 900 nm với hai cực đại tại ~594 nm và ~704 nm. Nguồn gốc của các đỉnh phát xạ này được lý giải là do các sai hỏng trong vật liệu tổ hợp ZnO-SnO2 gây ra. Kết quả nghiên cứu nhận được chứng tỏ có thể sử dụng bột ZnO-SnO2 phủ lên chíp UV-LED (280) để chế tạo các điốt phát quang ánh sáng trắng có hệ số hoàn màu (CRI) cao. 

Các bài báo khác
 


Vietnamese | English






 
 
Vui lòng chờ...