Đăng nhập
 
Tìm kiếm nâng cao
 
Tên bài báo
Tác giả
Năm xuất bản
Tóm tắt
Lĩnh vực
Phân loại
Số tạp chí
 

Bản tin định kỳ
Báo cáo thường niên
Tạp chí khoa học ĐHCT
Tạp chí tiếng anh ĐHCT
Tạp chí trong nước
Tạp chí quốc tế
Kỷ yếu HN trong nước
Kỷ yếu HN quốc tế
Book chapter
Tạp chí quốc tế 2015
Số tạp chí 479(2015) Trang: 62
Tạp chí: Physica B

We present a theoretical study of the electron distribution, i.e., two-dimensional electron gas (2DEG) in
polar heterojunctions (HJs) within a realistic model. The 2DEG is confined along the growth direction by
a triangular quantum well with afinite potential barrier and a bent bandfigured by all confinement
sources. Therein, interface polarization charges take a double role: they induce a confining potential and,
furthermore, they can make some change in other confinements, e.g., in the Hartree potential from ionized impurities and 2DEG. Confinement by positive interface polarization charges is necessary for the
ground state of 2DEG existing at a high sheet density. The 2DEG bulk density is found to be increased in
the barrier, so that the scattering occurring in this layer (from interface polarization charges and alloy
disorder) becomes paramount in a polar modulation-doped HJ.

Các bài báo khác
Số tạp chí 11(1), June-August, 2015(2015) Trang: 47-51
Tạp chí: American International Journal of Research in Science, Technology, Engineering & Mathematics
Số tạp chí 11(2), June-August, 2015(2015) Trang: 99-103
Tạp chí: American International Journal of Research in Science, Technology, Engineering & Mathematics
Số tạp chí Volume 3 Issue 4(2015) Trang: e00764-15
Tạp chí: Genome Announcements
Số tạp chí 2(2015) Trang:
Tạp chí: Journal of Optimization Theory and Applications
Số tạp chí 247(2015) Trang: 774-781
Tạp chí: European Journal of Operational Research
Số tạp chí 2(2015) Trang: 1-12
Tạp chí: Renewables Wind, Water, and Solar
Số tạp chí XVIII(2015) Trang: 147-165
Tạp chí: Transactions on Computational Collective Intelligence
Số tạp chí Vol. 4(1)(2015) Trang: 1-6
Tác giả: Hồ Thanh Thâm
Tạp chí: Nova Journal of Engineering and Applied Sciences
Số tạp chí Volume 15, Issue 4, Version 1.0(2015) Trang: 1-4
Tạp chí: Global Journal of Human Social Sciences
Số tạp chí 20(1)(2015) Trang: 101-122
Tác giả: Võ Văn Dứt
Tạp chí: The Asian Academy of Management Journal
Số tạp chí 10(1), March-May 2015(2015) Trang: 1-6
Tạp chí: American International Journal of Research in Science, Technology, Engineering & Mathematics
Số tạp chí 10(1), March-May 2015(2015) Trang: 73-78
Tạp chí: American International Journal of Research in Science, Technology, Engineering & Mathematics

Crossref DOI of CTUJoS


BC thường niên 2018


Con số ấn tượng (VN | EN)


Bản tin ĐHCT


TCKH tiếng Việt


TCKH tiếng Anh

 
 
Vui lòng chờ...