Đăng nhập
Tìm kiếm nâng cao
Tên bài báo
Tác giả
Năm xuất bản
Tóm tắt
Lĩnh vực
Phân loại
Số tạp chí

Bản tin định kỳ
Báo cáo thường niên
Tạp chí khoa học ĐHCT
Tạp chí tiếng anh ĐHCT
Tạp chí trong nước
Tạp chí quốc tế
Kỷ yếu HN trong nước
Kỷ yếu HN quốc tế
Book chapter
Tạp chí quốc tế 2018
Số tạp chí 8(2018) Trang: 085123(1)-085123(12)

Density-functional theory in combination with the non-equilibrium Green’s function formalism is used to study the effect of silicon doping and phosphorus passivation on the electronic transport properties of zigzag graphene nanoribbons (ZGNRs). We study the edge structures passivated by H atoms and by P atoms. In this work, Si atoms are used to substitute C atoms located at the edge of the samples. We consider ZGNRs terminated by H and P atoms with four zigzag carbon chains (4-ZGNRs) in case of six various configurations. Our calculated results determine that the Si doping improves significantly the current of samples by the number of dopants. Moreover, there is dramatical difference in the transmission spectrum of P-passivated ZGNRs and Hpassivated ZGNRs i.e. P passivation not only destroys an enhanced transmission at the Fermi level, which is typical for graphene nanoribbons, but also increases considerably the intensity of transmission spectrum with ballistic transport properties. Furthermore, the numerical results illustrate that pristine H-terminated samples have a broadening band gap in transmission spectra when the bias voltage increases. The relationship between the outcomes indicates that such silicon doping and phosphorus passivation are effective and providing a promising way to modulate the properties of ZGNRs for nanoelectronic device applications.

Các bài báo khác
Số tạp chí 10(2018) Trang: 113-119
Tạp chí: Journal of Vietnamese Environment
Số tạp chí 104(2018) Trang: 1-19
Tạp chí: Centre for Asean Studies
Số tạp chí 9(2018) Trang: 8-11
Tạp chí: International Journal of Scientific Engineering and Science
Số tạp chí 8(3)(2018) Trang: 214-222
Tạp chí: International Journal of Machine Learning and Computing
Số tạp chí 16(2018) Trang: 383-399
Tạp chí: Thai Journal of Mathematics
Số tạp chí 37(2018) Trang: 1537-1549
Tạp chí: Computational and Applied Mathematics
Số tạp chí 26 (1)(2018) Trang: 58-79
Tạp chí: Corporate Governance: An International Reivew
Số tạp chí 22(2018) Trang: 39-57
Tạp chí: Positivity
Số tạp chí Volume 8, Issue 5(2018) Trang: 452-459
Tạp chí: International journal of scientific and research publications
Số tạp chí 14(2018) Trang: 65-79
Tạp chí: Journal of Industrial and Management Optimization
Số tạp chí 39(2018) Trang: 1-14
Tạp chí: Mineral Processing and Extractive Metallurgy Review

Vietnamese | English

Vui lòng chờ...